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霍尔传感器
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V
编辑：ll 20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V 型号：20N20 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：20A 反向耐压：200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55℃~+150℃ MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-SASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势
编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E阈值电压(VGE)：5.5V G-E漏电流(IGES)：250nA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 场效应【电工学】第5章-常用电子元器件-5.1PN结的形成
摘要：P型半导体和N半导体接触面区域，少子扩散运动和多子扩散运动达到平衡的区域就是PN节，PN节具有单项导电的作用。 正文： 1、半导体具有热敏、光敏、掺杂特性； 2、杂质半导体的导电特性优于本征半导体； 3、半导体导电由自由电子和空穴共同完成； 4、PN结形成的过程及内部载流子的运动过程有关电流密度的计算与方程
电流密度的计算 导体中任意一点电流密度\(j\)的方向为改点正电荷的运动方向；\(j\)的大小等于在单位时间内，通过该点附近垂直与正电荷运动方向的单位面积的电荷。 按照这样的规定，某点处的电流密度公式可以写作: \[j = \frac{\Delta I}{\Delta S \cos{\alpha}} \]由此，通过导体任一有限MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管的特点
编辑-Z 一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管 肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受 RC 时间AFM：二维CsPbBr3/CdS异质结优异的激子光伏效应
光伏效应对于将太阳能转化为电能是非常重要的，特别是在太阳能电池的应用中得到了广泛的探索。目前对光伏效应的研究主要集中在基于传统半导体p-n结的器件上。但是，该类型光伏效率几乎达到理论极限。激子光伏效应通过激子（牢固结合的电子-空穴对）扩散到异质Solar RRL：2D/2D基Z型异质结在光催化应用中的研究进展
随着人类社会和经济的快速发展，人类所面临的能源危机和环境污染问题也越来越严重。开发一种能够生产新型清洁能源和解决环境污染问题的新技术具有非常重要的意义。光催化技术能够通过利用源源不断的太阳能来进行分解水制氢、CO2还原制备燃料和污染物的降电路——三极管
三极管 P（Positive）型半导体 硼，空穴为多数载流子 N（Negative）型半导体 磷，电子是多数载流子 N区多子电子往P区移动，叫多子的扩散运动 随着扩散运动，空间电荷区越来越厚，电压越来越强，内电场越来越来强 少子的运动叫漂移运动，内电场越强，漂移运动越强，会使空间电荷区变薄 扩散和飘移会达到动态pn结与二级管
**Jior:** 我们知道，二极管和晶体管等与电阻、线圈以及电容等不同，具有整流和放大作用。在这些半导体器件的结构中都采用了pn结，为什么需要pn结呢? **Jior**: pn结就是在制作硅晶体时，掺人了3价原子(如硼)或5价原子(如砷)、其中，一部分形成p型半导体区域，而其余部分则形成n型半导体区域二极管、三极管、场效应管的理解
二极管：控制载流子流动的方向 三极管：控制载流子流动的多少（流控型器件） 1） 从电压-电流角度理解：发射结发射电子，集电结收集电子，集电结电压控制收集到的电子的多少，但收集到的电子数目不会超过发射的电子数目，损耗的部分是基极电流 2） 从电流-电流角度理解：输入回路的电流Ib放大β倍到silvaco收敛问题
经常遇到convergence 问题 很气 这次汇总一下 主要来自官方说明书 如果是网格的因素，可以将Athena产生的结构，导入deveditgo athena ..... struct outf=abc.str go devedit将网格用1) 基本网格；2)参杂的梯度; 3) 细部画分 (第三种Linux版才支持) 重新建立网格。参照其例子，命令如何理解不同结构的电力半导体
不同结构的电力半导体的结构基础 目前我们所接触到的半导体，其基础的构成有三种结构： p-n结 MOS（金属-氧化物-半导体） MES（金属-半导体） 若要比较准确地理解半导体的工作原理，我们应该先熟悉这三种基础结构的结构与特性。 p-n结 关于p-n结，最重要的概念就是漂移与扩散。简单来讲模电这么学，谁还会说不懂晶体管？
学电子的对晶体管、PN结不能说陌生，但当初课堂上学的时候对电子空穴的运动超难想象，这些半导体器件内部到底是如何工作的? 半导体 材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征模拟电子技术-02
1.半导体： 导电能力介于绝缘体与导体之间的物质。 本征半导体： 本征半导体就是完全纯净的半导体。 本征激发使空穴和自由电子成对产生，相遇复合时，又成对的消失。 外加电压U形成电子电流和空穴电流。 小结： 半导体中解析如何选用合适的肖特基二极管？
肖特基二极管是生产电子产品不可或缺的重要保护器件，尤其在便携式电子产品及开关电源中应用广泛，深受电子行业的喜爱，可是在肖特基二极管市场，如何才能挑选到合适自己产品的肖特基二极管那，这对于一些刚入电子行业的采购人员来讲，确实很头疼，可能一不下心就会踏入误区，看完下文，相信你会有醍