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ASEMI肖特基二极管1N5819参数，1N5819代换，1N5819货源

编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5819参数：型号：1N5819 峰值重复反向电压（VRRM）：40V 最大有效值电压（VRMS）：28V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：25A 最大瞬时正向电压（VF）：0.6V 最大瞬时反向电流（IR）：1mA 典型结电容（CJ）：110pF 最大热阻，结到外壳（RθJC）：50℃/W 工作结温和存储温度（TJ, Tstg）：-55

MBR30300VCT-ASEMI高压大电流肖特基定位中高端品质

编辑：ll MBR30300VCT-ASEMI高压大电流肖特基定位中高端品质型号：MBR30300VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 电流：30A 电压：300V 恢复时间：50ns 正向电压：0.54V~0.92V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：5ua 特性：肖特基二极管、大功率高耐压二极管工作温度：-40℃~170℃ 备受欢迎的MBR

ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪？

编辑-Z 低压降肖特基二极管在电路中的应用越来越广泛，许多电路的功能实现都离不开低压降肖特基二极管的支持。那么ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪？随着时代的发展，人们的节能环保意识不断增强，对外接电源的要求也越来越高。越来越多的人用低压降的肖特基二极管来代替

MBR10100DC-ASEMI肖特基二极管MBR10100DC

编辑-Z MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100DC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，

MBR10100FCT-ASEMI标准高压肖特基二极管

编辑：ll MBR10100FCT-ASEMI标准高压肖特基二极管型号：MBR10100FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：10A 反向耐压：100V 浪涌电流：120A 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：86MIL 漏电流：20uA 芯片材质：封装尺寸：如图特性：超薄扁桥工作温度：-55℃~+150℃ 肖特基二极管概念肖特基二极管是以其

PS1045L-ASEMI肖特基二极管PS1045L正向压降怎么测

编辑-Z ASEMI肖特基二极管PS1045L正向压降怎么测？用“DC POWER SUPPLY”仪器（恒流稳压直流）测试：先施加小电压，使PS1045L有电流通过，然后慢慢增加电流，达到被测肖特基二极管PS1045L的额定电流，并等待稳定后的电压值读数，稳定后的读数为额定电流的压降。 PS1045L参数描述型号：PS1045L 封

PS1060L-ASEMI低压降肖特基二极管PS1060L

编辑-Z PS1060L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS1060L的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS1060L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS1060L的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐

SBT30100VDC-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC

编辑-Z SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT30100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向

PS1045L-ASEMI肖特基二极管PS1045L

编辑：ll PS1045L-ASEMI肖特基二极管PS1045L 型号：PS1045L 品牌：ASEMI 封装：TO-277 电性参数10A 45V 正向电流：10A 反向耐压45V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：94MIL 封装尺寸：如图特性：大电流、肖特基浪涌电流：125A 工作温度：-55~+150℃ 肖特基原理：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂

SBT30100VDC-ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC

编辑：ll SBT30100VDC-ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC 型号：SBT30100VDC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 电性参数30A 100V 正向电流：30A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：94MIL 封装尺寸：如图特性：大电流、肖特基浪涌电流：500A 工作温度：-65~+150℃ 肖特基原理：肖特基二极管是贵金属（金

MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基MBR60100PT

编辑：ll MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基MBR60100PT 型号：MBR60100PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电性参数60A 100V 正向电流：60A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：150MIL 封装尺寸：如图特性：大电流、肖特基浪涌电流：500A 工作温度：-65~+175℃ 肖特基原理：肖特基二极管是贵金属（金、

ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT的优势和应用

编辑-Z 肖特基二极管MBR20100FCT的优势包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，MBR20100FCT正向导通和正向压降低于PN结二极管（低约0.2V）。 2) 由于MBR20100FCT是多数载流子导电器件，因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT的反向恢复时间只是肖特基势垒

MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选用？

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT是电子产品生产中不可缺少的重要保护器件，MBR20100FCT尤其广泛应用于便携式电子产品和开关电源，深受电子行业的喜爱。然而，在肖特基二极管市场，如何选择合适产品的肖特基二极管呢？ MBR20100FCT参数描述型号：MBR20100FCT 封装：TO-220 特性：大功率肖

ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解

编辑-Z MBR20200FCT参数描述型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：20mA 工作温度：-65~+175℃ 恢复时间(Trr)：5ns 引线数量：3 MBR20200

MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT

编辑-Z MBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)

MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT

编辑-Z MBR20100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR20100FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR20100FCT采用Mikron芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为100V，正向电压

MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管的特点

编辑-Z 一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受 RC 时间

MBR10200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10200FCT

编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为

MBR10200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10200FCT

MBR20100FCT低压降肖特基二极管ASEMI原装

编辑：ll MBR20100FCT低压降肖特基二极管ASEMI原装型号：MBR20100FCT 品牌：ASEMII 封装：TO-220 电性参数：20A 100V 正向电流：20A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：封装尺寸：如图特性：肖特基二极管浪涌电流：150A 工作温度：-55~+150℃ 产品描述肖特基二极管MBR20100FCT参数规格：

MBR20200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管

编辑：ll MBR20200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管型号：MBR20200FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：20A 电压：200V 正向电压：0.87V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：102MIL 漏电流：10uA 特性：肖特基二极管工作温度：-55~+150℃ MBR20200FCT的电性参数：最大正向平均电流20A；最大反向峰值电压200V

MBR10100FCT-ASEMI全塑封肖特基二极管绝缘性好

编辑：ll MBR10100FCT-ASEMI全塑封肖特基二极管绝缘性好型号：MBR10100FCT 品牌：ASEMII 封装：TO-220 电性参数：10A 100V 正向电流：10A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：封装尺寸：如图特性：肖特基二极管浪涌电流：120A 工作温度：-55~+150℃ 产品描述肖特基二极管MBR10100FCT参数

MBR10200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管

编辑：ll MBR10200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管型号：MBR10200FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：10A 电压：200V 正向电压：0.87V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：86MIL 漏电流：10uA 特性：肖特基二极管工作温度：-55~+170℃ MBR10200FCT的电性参数：最大正向平均电流10A；最大反向峰值电压200V M

肖特基二极管型号大全之ASEMI肖特基常见型号

编辑-Z 肖特基二极管最大的特点是正向压降VF比较小。在相同电流的情况下，其正向压降要小得多。此外，它的恢复时间很短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大。选择时必须充分考虑，肖特基二极管通常用于对电源的次级输出进行整流。肖特基二极管型号大全之ASEMI肖特基有哪些常见型号呢？

MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选型

编辑-Z MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选型？选型时主要考虑MBR10100FCT的导通压降、反向饱和漏电流、额定电流、最大浪涌电流、最大反向峰值电压、最大直流反向电压、最大工作频率、反向恢复时间、最大耗散功率等参数。下面我们看一下MBR10100FCT的详细电性参数：型号：MBR1010