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《炬丰科技-半导体工艺》通过深紫外光刻胶进行化学渗透
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：通过深紫外光刻胶进行化学渗透 编号：JFKJ-21-1324 作者：华林科纳 由于光光刻和湿蚀刻的结合，门氧化物区域现在仍然被定义。实际上，后者优于等离子体蚀刻，以避免任何晶体管沟道粗糙度和可靠性退化。在这种软掩模图案形成过程中，抗蚀剂下的栅氧化物《炬丰科技-半导体工艺》 深紫外 LED 应用
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：深紫外 LED 应用 编号：JFKJ-21-1187 作者：华林科 引言 在物理气相传输制备的低位错密度(< 103 em2) AlN晶片(PVT)上，研究了氢化物气相外延(HVPE)生长厚AlN层的同轴生长。由HVPE层制备的氮化铝晶片具有与PVT氮化铝晶片相同的高结构质量和深紫外2021-2027全球与中国分光束紫外可见分光光度计市场现状及未来发展趋势
本报告研究全球与中国市场分光束紫外可见分光光度计的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格、销量、销售收入及全球和中国市场主要生产商的市场份额。历史数据为2016至2020年，预测数据为2021至2027年。 主要生关于恒功率控制紫外灯光强
1.频率 /**根据需要的频率，求得单次高低电平的周期，再以50%占空比输出。**/ //设定开关频率 相当于 模拟输出一个pwm波，eg：100hz 50% void led_frequency_ctrl(void) { period = 1/frequency*1000; //1 if(CheckDelay((uint32_t*)&time_f)==0) { Set_Delay_Time(