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Gm/Id仿真（一）原理
学习了Chris讲解的gm/id仿真，这里进行一个简单的理论以及仿真过程复述。 斯坦福大学的gmid讲义 波形举例： 当VDS给定时，看一下栅长不同时，截止频率随着Gmid变化的曲线。可以看出栅长越长，截止频率越低 栅长越长，本征增益越大。 同样的，电流密度随着栅长的增大而减小有关电流密度的计算与方程
电流密度的计算 导体中任意一点电流密度\(j\)的方向为改点正电荷的运动方向；\(j\)的大小等于在单位时间内，通过该点附近垂直与正电荷运动方向的单位面积的电荷。 按照这样的规定，某点处的电流密度公式可以写作: \[j = \frac{\Delta I}{\Delta S \cos{\alpha}} \]由此，通过导体任一有限[原创]安培(Ampere's Law )定律的数学描述
截图来自于Optics 第5版，作者是Eugene Hecht 安培定律，Ampere's Law,如图3.9所示，对于一个通电的线，假设有一个环绕电线且垂直于电线的环，环的中心点在电线上，环的半径为r，电线周围由环绕电线的磁场，$ \vec{B} $沿着环的积分等于环内的总电流乘以一个常量$ \mu _{0} $