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BTS3410G 场效应晶体管
BTS3410G是集智能SIPMOS技术制造而成的N沟道垂直功率场效应晶体管FET，低压侧、2路输出、输入电压10V、电流极限7.5A、封装类型SOIC-8，来自国际品牌英飞凌（Infineon）。接下来重点详述BTS3410G场效应晶体管FET的特性、参数、应用，带您走进BTS3410G的“世界”！ BTS3410G场效应管特性 逻辑MOSFET详解
MOSFET愿意：MOS(Metal Oxide Semiconductor精神氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的 栅极隔着氧化物（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 但随半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。MOS管入门详解-MOS场效应管-MOSFET芯片-IGNT芯片-聚芯芯片
MOS管入门 大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D