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《炬丰科技-半导体工艺》无氧化物硅的湿化学表面功能化
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：无氧化物硅的湿化学表面功能化 编号：JFKJ-21-716 作者：炬丰科技 关键词:硅表面，氢终止，有机功能化，自组装单层，表面活化。纳米图案。 摘要 硅是目前微电子工业中最重要的半导体材料，主要是由于Si/sio2界面的高质量。因此，需要硅底化学功能化的应用集《炬丰科技-半导体工艺》氮化硅对硅和二氧化硅的高选择性蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化硅对硅和二氧化硅的高选择性蚀刻 编号：JFKJ-21-636 作者：炬丰科技 摘要 描述了一种从硅和二氧化硅中去除氮化硅层的高选择性干法刻蚀工艺，并对其机理进行了研究。与传统的Si3N4去除工艺相比，这种新工艺采用远距离O2 /N2放电，CF4或NF3作为氟源的纳米二氧化硅改性聚丙烯复合物/纳米SiO2改性环氧树脂结构胶/纳米SiO2改性水性聚氨酯/纳米SiO2改性壳聚糖载体
聚乙二醇拥有相当大的热焓，一致熔融的表现，并且有适当地熔点和很好的耐摩擦性，所以聚乙二醇作为一种固-液相转变具有非常广阔的前景。纳米二氧化硅是一种价格低廉、无毒、能增强其他的抗老化、化学性能，用途非常广泛，但是直接将二氧化硅加入到聚乙二醇中，虽然会增加其热传导系数，但相对纳米SiO2改性稠油高效破乳剂|纳米SiO2改性PVC/MPC共混膜|季铵化纳米SiO2改性酚醛树脂|纳米二氧化硅改性铜酞菁颜料
纳米SiO2丙烯酸酯复合乳液的制备 原位聚合法:称取适量自制表面活性剂.过硫酸铵、碳酸氢钠、去离子水、及改性纳米SiO2于超声波分散器中( SB2200型,50HZ,600W，上海科伟达超声波科技有限公司)振荡1小时,然后置于三口烧瓶中水浴加热并开始搅拌。将适量表面活性剂、去离子水.约1/3过