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ASEMI快恢复二极管ES5JB参数,ES5JB特性,ES5JB机械数据
编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES5JB参数: 型号:ES5JB 最大重复峰值反向电压(VRRM):600V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):420V 最大直流阻断电压(VDC):600V 最大平均正向整流输出电流(IF):5.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):150A 每个元件的典型热阻(ReJA):47℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +150℃ 最大瞬51单片机笔记[2]-中断模块
实验目的 熟悉Keil,Proteus软件的使用 熟悉中断的概念,以及编程中的应用 实验内容 开关中断控制发光二极管的亮灭 按下开关K3(P3.2),8个发光二极管点亮与熄灭循环交替 按下开关K4(P3.3),前4个发光二极管与后4个发光二极管交替点亮 定时器中断控制数码管显示 按下P3.2“计数”按GMK3045-ASEMI光伏防回流二极管GMK3045
编辑-Z GMK3045是一款光伏防回流二极管。GMK3045的浪涌电流Ifsm为600A,漏电流(Ir)为0.1mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GMK3045采用金属硅垒芯片,典型热阻(ReJA)为1.5℃/W。GMK3045的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为45V,正向电压(VF)为0.5V。 GMK3045参数描述 型号:GMKASEMI光伏二极管GMK4045,GMK4045特征,GMK4045应用
编辑-Z ASEMI光伏二极管GMK4045参数: 型号:GMK4045 重复峰值反向电压(VRRM):45V 最大有效值电压(VRMS):31.5V 平均整流输出电流(IO):40A 浪涌(非重复)正向电流(IFSM):600A 热阻(典型值)(ReJA):1.5℃/W 储存温度范围(Tstg):-40 to +175℃ 峰值正向电压(VFM):0.5V 峰值反向电流(IR):0.1mA GMK4045规格尺寸:TPA3045-ASEMI光伏二极管TPA3045
编辑:ll TPA3045-ASEMI光伏二极管TPA3045 型号:TPA3045 品牌:ASEMI 封装: 特性:光伏二极管 正向电流:30A 反向耐压:45V 恢复时间:ns 引线数量:2 芯片个数:1 芯片尺寸:MIL 浪涌电流:300A 漏电流:>10ua 工作温度:-55℃~150℃ 包装方式:30/管;1000/箱 备受欢迎的TPA3045-ASEMI光伏二极管 ASEMI品牌TPA齐纳二极管 稳压使用???
齐纳二极管 齐纳二极管允许电流正向流动,在这种情况下,齐纳二极管的行为就像普通二极管一样。每个齐纳二极管都有反向击穿电压,对于不同的齐纳二极管,反向击穿电压的值也不同。当施加小于击穿电压的反向电压时,齐纳二极管像普通二极管一样阻止电流,但是当反向电压大于击穿电压时,齐纳二极二极管选型要素
二极管 二极管选型关键要素 1.正向导通压降 压降:二极管电流流过负载以后相对于同一参考点的电势,变化称为电压降,称为压降。 导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零MHCHXM超快恢复二极管SFF1604为什么是开关电源的常客
编辑-Z 开关电源的输出整流管一般采用快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管(SRD)或肖特基二极管(SBD)。MHCHXM超快恢复二极管SFF1604为什么是开关电源的常客?SFF1604具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装方便等优点。 超快恢复二极管SFF1604的选择 1、SFF1604的SFF1604-MHCHXM(海矽美)二极管SFF1604
编辑:ll SFF1604-MHCHXM(海矽美)二极管SFF1604 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-220F 正向电流:16A 反向电压:400V 引脚数量:3 芯片个数:2 芯片尺寸:90MIL 漏电流:>10ua 恢复时间:35ns 浪涌电流:100A 芯片材质:硅 正向电压:1.1V 封装尺寸:如图 特性:快恢复二极管 工作结温:-40℃~175℃ 包装方式:100/盒;5000SFF1602-MHCHXM超快恢复二极管SFF1602
编辑-Z SFF1602在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是90MIL,是一款超快恢复二极管。SFF1602的浪涌电流Ifsm为100A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。SFF1602采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SFF1602的电性参数是:正向电流(Io)为16A,反向耐压为200V,正向电压SFF1602-MHCHXM(海矽美)二极管SFF1602
编辑:ll SFF1602-MHCHXM(海矽美)二极管SFF1602 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-220F 正向电流:16A 反向电压:200V 引脚数量:2 芯片个数:3 芯片尺寸:90MIL 漏电流:>10ua 恢复时间:35ns 浪涌电流:100A 芯片材质:硅 正向电压:1.1V 封装尺寸:如图 特性:快恢复二极管 工作结温:-40℃~175℃ 包装方式:100/盒;5000SF1602-MHCHXM(海矽美)快恢复二极管SF1602
编辑:ll SF1602-MHCHXM(海矽美)快恢复二极管SF1602 型号:SF1602 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-220AB 正向电流:16A 反向耐压:200V 恢复时间:35ns 引脚数量:3 芯片个数:2 特性:快恢复二极管 漏电流:10ua 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的SF1602-MHCHXM(海矽美)快恢复二极管 MHCHXM(海矽美)品牌SF1602ASEMI快恢复二极管FR107参数,FR107实物,FR107应用
编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR107参数: 型号:FR107 峰值重复反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 平均整流正向电流(IF):1A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):30A 最大瞬时正向电压(VF):1.2V 最大瞬时反向电流(IR):5uA 最大反向恢复时间(trr):500NS 典型结电容(CJ):15pF 最大热阻,结到外壳(RθJC):50℃/W 工作达尔闻-二极管、4个坑
一.二极管 1. 整流 Tip:有极压降,Si硅型0.6~0.8V,认为0.7;Ge锗为0.2V;还有Ga的 2. 利用正向导通后,电压不变的特性,可以做限幅 3. 利用二极管的反向击穿特性,可做稳压管 4. 发光二极管,即LED 5. 检波二极管 6.TVS管,瞬变电压抑制二极管,起快速过压的保护 二.4个坑 1.上电时序 导致如何判断二极管的好坏
如何简单的判断二极管的好坏, 第一目测法,有的二极管有烧焦的迹象,这样的二极管直接判断损坏。 第二种方法,用数字万用表的通断档测量,发出蜂鸣声,坏掉了 。 第三种方法,电阻判断法,正向电阻和反向电阻一样大,坏了 。ASEMI整流桥GBPC2510的作用是什么
编辑-Z 整流桥又称桥堆,是由2个或4个二极管组成的整流器件。这种桥堆主要包括半桥和全桥两种,半桥可分为正半桥和负半桥两类别。GBPC2510整流桥是属于桥式全桥,那么ASEMI整流桥GBPC2510的作用是什么? 选择GBPC2510整流桥时,要注意整流电路和工作电压。整流桥堆GBPC2510通常应用于全ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪?
编辑-Z 低压降肖特基二极管在电路中的应用越来越广泛,许多电路的功能实现都离不开低压降肖特基二极管的支持。那么ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪? 随着时代的发展,人们的节能环保意识不断增强,对外接电源的要求也越来越高。越来越多的人用低压降的肖特基二极管来代替MP40N120-ASEMI场效应管MP40N120
编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装,是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A,最大功耗(PD)为320W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS,关断延迟时间(td(off))为255NS。MP40N120的电性参数是:漏源电压(VDSS)为1200ASEMI肖特基二极管1N5819压降是什么意思
编辑-Z 肖特基二极管1N5819压降是什么意思 二极管的管压降本质上是一个电阻,但导通时电阻很小,不导通时接近无穷大,导通时电阻会分担一定的电压,所以称为管压降。1N5819二极管两端的电压降为 0.6V。低于此电压,二极管将不导通。高于此电压,它将导通。二极管在指定正向电流下的正向压降。LED驱动方案
发光二极管(简称LED)是由镓(G)与砷(AS)、磷(P)等化合物制成的二极管。当电子与空穴复合时能辐射出可见光(当然也有不可见光LED,如近红外LED,通常用于监控领域,实现红外成像),因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中用作指示灯,或者组成文字或数字显示等。 设计驱动电路时,不能盲目地ASEMI整流桥KBPC3506是如何将交流电转化为直流电的
编辑-Z 二极管搭建的ASEMI整流桥KBPC3506是如何将交流电转化为直流电的?今天小编就给大家详细介绍一下,为了便于理解,我给大家画了一个示意图: KBPC3506输入1和输入2是交流电的两个输入端。至于电压波形,既有大于0的部分,也有小于0的部分,具体波形见下图: 此时电压在X轴上半部ASEMI整流桥KBL410选型,选择KBL410要注意什么
编辑-Z 顾名思义,整流桥主要用于输入整流,即将输入的交流电整流成输出的直流电;为此也分为全波整流和半波整流。从整流桥的结构来看,全波整流相当于四个二极管,而半波整流相当于两个二极管,而KBL410就是属于全波整流。那么ASEMI整流桥KBL410选型,选择KBL410要注意什么呢? ASEMI整流桥KBMBR10100DC-ASEMI肖特基二极管MBR10100DC
编辑-Z MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片,其尺寸都是86MIL,是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR10100DC的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为100V,SFF1004-ASEMI快恢复二极管SFF1004
编辑-Z SFF1004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是90MIL,是一款超快恢复二极管。SFF1004的浪涌电流Ifsm为125A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF1004采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SFF1004的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为400V,正向嵌入式硬件基础
一、常用硬件 嵌入式系统常用的硬件器件,主要包括分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC以及存储器共五大类。 分立器件主要有:二极管、三极管、电阻、电容、电感以及场效应管等 二极管按其用途可分为:整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管等 整流二极管是一种将交流电转