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数电基础 第三章

作者:互联网

数电基础 第三章

CMOS门电路

MOS管的开关特性

S (Source):源极
G (Gate):栅极
D (Drain):漏极
B (Substrate):衬底
以N沟道增强型为例:

当加+VDS时,VGS=0时,D-S间是两个背向PN结串联,iD=0
加上+VGS,且足够大至VGS >VGS (th),D-S间形成导电沟道(N型层)
输入特性和输出特性
输入特性:直流电流为0,看进去有一个输入电容CI,对动态有影响。
输出特性:iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。

漏极特性曲线

截止区:VGS<VGS(th),iD = 0,ROFF > 10^9Ω
恒流区:iD 基本上由VGS决定,与VDS 关系不大
可变电阻区:当VDS 较低(近似为0), VGS 一定时,
                 这个电阻受VGS 控制、可变。

MOS管的四种类型

增强型:

耗尽型:

CMOS反相器的电路结构和工作原理

输入噪声容限

在Vi偏离VIH和VIL的一定范围内,Vo基本不变。在输出变化允许范围内,允许输入的变化范围称为输入噪声容限。

其他类型的CMOS门电路

与非门

或非门

漏极开路的门电路(OD门)

特点:可将输出并联使用实现线与或用作电平转换、驱动器。使用时允许外接RL

CMOS传输门及双向模拟开关

传输门

双向模拟开关

三态输出门

三态门的用途


标签:VDS,第三章,数电,基础,漏极,输入,iD,CMOS,VGS
来源: https://www.cnblogs.com/lixuehan/p/11628062.html