CH334U与FE1.1S功能对比

介绍：

CH334U是符合 USB2.0 协议规范的高性能MTT 4 端口 USB2.0  HUB 控制器芯片，高ESD特性，工业级设计，外围精简，可应用于计算机和工控机主板、 外设、 嵌入式系统。CH334U与Fe1.1S引脚兼容，删减部分元器件，或者改变部分元器件参数即可实现PCB兼容设计。

CH334U和FE1.1S参数对比：

	CH334U	FE1.1S
TT模式	MTT	STT
工作温度	工业级：-40~85℃	商业级：0~70℃
ESD	Class3A，~6KV	Class2，~2KV
过流检测	GANG模式	GANG模式
功耗@空闲	0.31mA	1mA
功耗@单高速	43mA	57mA
功耗@四高速	84mA	100mA

 

CH334U为工业级HUB，支持-40~85℃温度工作范围，具有更高的ESD特性，支持6KV，此外CH334U也有更低的运行功耗，整体功耗降低20%左右，CH334U采用并行MTT结构设计，相较于STT模式，TT模式下USB传输带宽理论提升4倍。

硬件设计对比：      

 

CH334U采用了更高的设计工艺，集成度有了很大提升，对比CH334U和FE1.1S的硬件参考电路，可以看出CH334U元器件更少，外围更加简单。

    在实现PCB兼容设计时可以这么做。（本次FE1.1S的图为FE1.1S Rev.B）

(1) FE1.1S的12脚（VD18_O）和28脚（VD18）如果有退耦电容换成0欧姆的电阻或者直接去掉，CH334U这两个脚为GND。本图无需修改。

(2) FE1.1S的14脚（REXT）的对地电阻（R5去除，CH334U 可以节省一颗1%精度电阻。

(3) FE1.1S的17脚（XRSTJ）上拉电阻（R3），建议去掉。CH334U内部有上拉。

(4) FE1.1S的18脚（VBUSM）相连接的电阻电容全部去掉（R4、R2、C8）。CH334U此脚为NC。

(5) FE1.1S的19脚（BUSJ）如果是上拉电阻（R1），可以去除；如果接的是对地电阻，建议修改为4.7K；

(6) FE1.1S的20脚（VDD5）如果中间有串联电阻或者电感(L2)，可以修改为二极管IN4001等用于保护。退耦电容可将C3，C4，C5删除。

(7) FE1.1S的21脚（VD33_O）的对地电容（C1）修改为0.47-3.3uF的范围内，建议1uF,CH334U 可以使用更小容量退耦电容，体积更小，成本更低。

CH334U硬件设计：

完整的CH334U硬件电路设计可以参考下图，

 

注释：26脚（OVCUR#）为过流检测脚，如果不使用过流检测功能，则该引脚连接10K上拉电阻至VDD33s即可。

标签：FE1.1,电容,电阻,功耗,MTT,CH334U,对比
来源： https://www.cnblogs.com/mj19971221/p/16075894.html