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CH334U与FE1.1S功能对比

作者:互联网

CH334U与FE1.1S功能对比

介绍:

CH334U是符合 USB2.0 协议规范的高性能MTT 4 端口 USB2.0  HUB 控制器芯片,高ESD特性,工业级设计,外围精简,可应用于计算机和工控机主板、 外设、 嵌入式系统。CH334U与Fe1.1S引脚兼容,删减部分元器件,或者改变部分元器件参数即可实现PCB兼容设计。

CH334U和FE1.1S参数对比:

 

CH334U

FE1.1S

TT模式

MTT

STT

工作温度

工业级:-40~85℃

商业级:0~70℃

ESD

Class3A,~6KV

Class2,~2KV

过流检测

GANG模式

GANG模式

功耗@空闲

0.31mA

1mA

功耗@单高速

43mA

57mA

功耗@四高速

84mA

100mA

 

CH334U为工业级HUB,支持-40~85℃温度工作范围,具有更高的ESD特性,支持6KV,此外CH334U也有更低的运行功耗,整体功耗降低20%左右,CH334U采用并行MTT结构设计,相较于STT模式,TT模式下USB传输带宽理论提升4倍。

硬件设计对比:      

 

CH334U采用了更高的设计工艺,集成度有了很大提升,对比CH334U和FE1.1S的硬件参考电路,可以看出CH334U元器件更少,外围更加简单。

    在实现PCB兼容设计时可以这么做。(本次FE1.1S的图为FE1.1S Rev.B)

(1) FE1.1S的12脚(VD18_O)和28脚(VD18)如果有退耦电容换成0欧姆的电阻或者直接去掉,CH334U这两个脚为GND。本图无需修改。

(2) FE1.1S的14脚(REXT)的对地电阻(R5去除,CH334U 可以节省一颗1%精度电阻。

(3) FE1.1S的17脚(XRSTJ)上拉电阻(R3),建议去掉。CH334U内部有上拉。

(4) FE1.1S的18脚(VBUSM)相连接的电阻电容全部去掉(R4、R2、C8)。CH334U此脚为NC。

(5) FE1.1S的19脚(BUSJ)如果是上拉电阻(R1),可以去除;如果接的是对地电阻,建议修改为4.7K;

(6) FE1.1S的20脚(VDD5)如果中间有串联电阻或者电感(L2),可以修改为二极管IN4001等用于保护。退耦电容可将C3,C4,C5删除。

(7) FE1.1S的21脚(VD33_O)的对地电容(C1)修改为0.47-3.3uF的范围内,建议1uF,CH334U 可以使用更小容量退耦电容,体积更小,成本更低。

CH334U硬件设计:

完整的CH334U硬件电路设计可以参考下图,

 

注释:26脚(OVCUR#)为过流检测脚,如果不使用过流检测功能,则该引脚连接10K上拉电阻至VDD33s即可。

标签:FE1.1,电容,电阻,功耗,MTT,CH334U,对比
来源: https://www.cnblogs.com/mj19971221/p/16075894.html