STM32实现将简单的参数保存至flash，掉电不重置
作者：互联网
STM32实现存储简单的参数进flash
工程中加入flash.c和flash.h
我使用是keil5，需要添加头文件路径，将flash.h包括在内，路径中不应该有中文，同时FWlib中需要引入stm32f10x_flash.c。
直接复制可能会有中文符号，比如中文空格等等，从而报错，请注意。
使用原子战舰开发板可运行。
//flash.c
#include "stm32f10x.h"
#include "sys.h"
#include "delay.h"
#include "flash.h"
/***flash解锁*****/
void STMFLASH_Unlock(void)
{
FLASH->KEYR=FLASH_KEY1; //写入解锁序列
FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
}
//flash上锁
void STMFLASH_Lock(void)
{
FLASH->CR|=1<<7; //上锁
}
//得到FLASH状态
u8 STMFLASH_GetStatus(void)
{
u32 res;
res=FLASH->SR;
if(res&(1<<0))return 1; //忙
else if(res&(1<<2))return 2; //编程错误
else if(res&(1<<4))return 3; //写保护错误
return 0; //操作完成
}
//等待操作完成
//time:延时长短
//返回值:状态.
u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time)
{
u8 res;
do
{
res=STMFLASH_GetStatus();
if(res!=1)break; //非忙,无需等待,直接退出.
delay_us(1);
time--;
} while(time);
if(time==0)res=0xff; //TIMEOUT
return res;
}
//擦除页
//paddr:页地址
//返回值:执行情况
u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr)
{
u8 res=0;
res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF); //等待上次操作结束,>20ms
if(res==0)
{
FLASH->CR|=1<<1; //页擦除
FLASH->AR=paddr; //设置页地址
FLASH->CR|=1<<6; //开始擦除
res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待操作结束,>20ms
if(res!=1) //非忙
{
FLASH->CR&=~(1<<1); //清除页擦除标志.
}
}
return res;
}
//读出指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
return *(vu16*)faddr;
}
//如果使能了写 STM32_FLASH_WREN==1
#if STM32_FLASH_WREN
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u16 i;
for(i=0; i<NumToWrite; i++)
{
FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
WriteAddr+=2;//地址增加2.
}
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if((WriteAddr<STM32_FLASH_BASE)||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))
return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite; //不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
//校验数据
for(i=0; i<secremain; i++)
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)
break;//需要擦除
}
if(i<secremain) //需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0; i<secremain; i++) //复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
} else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain); //写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break; //写入结束了
else //写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite; //下一个扇区可以写完了
}
};
FLASH_Lock(); //上锁
}
#endif
//从指定地址开始读取指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)
{
u16 i;
for(i=0; i<NumToRead; i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr); //读取2个字节.
ReadAddr+=2; //偏移2个字节
}
}
//
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)
{
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1); //写入一个字
}
//flash.h
#ifndef __FLASH_H__
#define __FLASH_H__
#include "sys.h"
#define FLASH_KEY1 0X45670123
#define FLASH_KEY2 0XCDEF89AB
#define STM32_FLASH_SIZE 512 //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define STM32_FLASH_WREN 1 //使能FLASH写入(0,不使能;1,使能)
//
//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
void STMFLASH_Unlock(void); //解锁
void STMFLASH_Lock(void); //上锁
u8 STMFLASH_GetStatus(void); //获得状态
u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time); //等待操作结束
u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr); //擦除页
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr); //读出半字
void STMFLASH_WriteLenByte(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite,u16 Len); //指定地址开始写入指定长度的数据
u32 STMFLASH_ReadLenByte(u32 ReadAddr,u16 Len); //指定地址开始读取指定长度的数据
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite); //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead); //从指定地址开始读取指定长度的数据
//测试写入
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData);
#endif
在主函数中，使用
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE)
将 SIZE 大小的 TEXT_Buffer 保存进 flash 中地址为 FLASH_SAVE_ADDR的位置
可通过
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE)
读取相应地址位的数据，保存至 datatemp 中。
注意：要提前查询芯片参考手册了解flash大小，STM32F103ZET6为大容量芯片，其主存储块组织如下：
设置FLASH 保存地址，必须为偶数，且其值要大于程序本身所占用FLASH的大小+0X08000000，保存的数据量比较少的时候，如果为了省事，可以尽量往后靠。
标签：flash,void,FLASH,掉电,STM32,地址,u32,STMFLASH,u16 来源： https://blog.csdn.net/qq_37135535/article/details/121581028