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12N65-ASEMI高压MOS管12N65
编辑:ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号:12N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:12A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.68Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 工作结温:-55℃~150℃ 12N65场效应管 12N65的电性参数7N65-ASEMI高压MOS管7N65
编辑:ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号:7N65 品牌:ASEMI 封装:TO-22AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:1.35Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的7N65 MOS管 ASEMI品牌7N65是采用工艺芯片,该芯片