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松木ME2345A-G（兼容）AOS万代AO3401A，30V低压MOS管方案！

ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFET ME2345A简述： ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电

SCT9330STER,芯洲3.8V-30V输入，3A降压DCDC,替代TPS54331

SCT9330 3.8V-30V输入，3A，低EMI，超低功耗同步降压DCDC转换器 特性 • 400KHz固定开关频率，±6% 抖频拓展频谱 • 最大连续3A输出负载 • 集成85mΩ (Rdson) 上端MOSFET 和 48mΩ (Rdson) 下端MOSFET • 1uA 关断电流 • 20uA 超低静态电流 • 5mA负载电流下88% 转换效率 • 低压差LD

5V转1.2V简单外围LDO和降压IC

 5V转1.2V稳压芯片，3.7V转1.2V稳压芯片， 5V转1.2V降压芯片，3.7V转1.2V降压芯片，输出电流0-3A，效率可高达95%的电源芯片。         3.7V这个电压是比较常见的锂电池的标称电压，但是实际上，3.7V的锂电池从满电和放电停止的电压变化是3V-4.2V之间，这个输入电压范围还是有很多合适

AP3569输入6.0-32V输出1.2-30V_降压恒压驱动芯片

AP3569是一个380 kHz的固定频率单片降压开关模式稳压器，内置的内置功率MOSFET。它在宽的输入电源范围内实现2A连续输出电流，具有优良的负载和线路调节。 该装置包括基准电压源、振荡电路、误差放大器、内部PMOS等。 PWM控制电路能够将占空比线性地从0调整到100%。内置有启动功

电机控制专用 30V 12mΩ N沟道MOSFET GL35N03AD3 GL80N03A4 GL30N03LA4 P2904BD

QQ:19228180 电机控制专用 30V 12mΩ N沟道MOSFET GL35N03AD3 GL80N03A4 GL30N03LA4 P2904BD GL30N03LA4 同类 P2904BD 电机控制专用 30V 12mΩ N沟道MOSFET GL35N03AD3 GL80N03A4