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12N65-ASEMI高压MOS管12N65
编辑:ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号:12N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:12A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.68Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 工作结温:-55℃~150℃ 12N65场效应管 12N65的电性参数12N65-ASEMI高压MOS管12N65
编辑-Z 12N65有TO-262、TO-220/220F、TO-247等多种封装形式,是一款高压MOS管。12N65的浪涌电流Ifsm为48A,G极漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是:正向电流(Io)为12A,反向耐压为650V,正向电压(VF)为1.4V,恢复时间(Trr)为380ns,其中有3条引线。 12N6512N65-ASEMI高压MOS管12A 650V
编辑:ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号:12N65 品牌:ASEMII 封装:TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数:12A 650V 正向电流:12A 反向耐压:650V 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 浪涌电流: 工作温度:-55~+150℃ 产品描述 12N65高压MOS管,MOS管:金属-氧化12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V
编辑:ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号:12N65 品牌:ASEMII 封装:TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数:12A 650V 正向电流:12A 反向耐压:650V 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 浪涌电流: 工作温度:-55~+150℃ 产品描述 12N65高压MOS管,MOS管:金属-氧化物-