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铁电存储器FRAM的特性
首先我们解释一下FRAM是什么。FRAM是电子元器件中的一种半导体产品。半导体产品有微处理器、逻辑器件、模拟器件、存储器件等各种器件。 FRAM是DRAM和闪存等存储设备之一。FRAM代表铁电随机存取存储器。它也被称为铁电存储器，因为它使用铁电元件来存储数据。 ◼四种FRAM特性 F铁电存储器FRAM的优劣势
FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司，这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中AM：第三种三维铅/锡卤钙钛矿铁电体诞生
以(CH3NH3)PbI3为代表的三维有机-无机杂化铅/锡卤钙钛矿材料因其功能多样性和在光电应用领域的广阔发展前景（光电转换效率高达25.5%）而备受关注。著名的(CH3NH3)PbI3的优异光伏性能就被认为可能受益于其铁电极化。近些年来，尽管科学家们为扩展三维杂化钙钛FRAM技术简介
成熟的半导体存储技术分为两类：1. RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。 2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。 当一个电场被加到铁电晶体时，中心