其他分享
首页 > 其他分享> > 原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展

原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展

作者:互联网

原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展

Atomic Layer Deposition (ALD) and

Chemical Vapor Deposition (CVD)

of Copper-based Metallization

for Microelectronic Fabrication

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

标签:ALD,Deposition,金属化,沉积,CVD,研究进展
来源: https://www.cnblogs.com/wujianming-110117/p/14770732.html