MOS管恒流区（饱和区也就是放大区）和三极管（恒流区放大区）的区别以及MOS管可变电阻区和三极管饱和区区别

再增一个导通工作区或者模式Uds=0注意不是没加电压的值是0，而是DS外接电阻，整体有电压，当DS所在电路需要提供的电流最大都满足不了Ugs要求是DS导通，DS上面0压降，一般情况导通时电流最大，饱和次之，变阻区电流最小，类似三极管

MOS管的恒流区（饱和区）是放大区

三极管的恒流区也是放大区，但不是三极管的饱和区

MOS管的可变电阻区是直线去，斜率是电阻的倒数，并且电压的范围区间很大0到4V之间，电阻也很大，有可能是几十K欧姆。

三极管的饱和区是当三极管之基极加入大的电流时，因为IC≒IE=β×IB，射极和集极的电流亦非常大，此 时，集极与射极之间的电压降非常低(VCE为0.4V以下)，其意义相 当于集极与射极之间完全导通，此一状态称为三极管饱和。（外部条件电压电流满足角度解释，给定的IB,然后集电极和电源之前串电阻，可以说是实际设计使用角度）

独立的三极管特性测试角度解释是这样单纯的给三个电极加电压测试，集电极和电源之间不串电阻，直接加电压测试电流

三极管的饱和区对应某一固定IB IC UCEQ曲线不一定是某个恒定的阻值，也就是饱和区不一定是直线。并且饱和区的UCE电压小于等于UBE大约0.4左右，和导通类似，UCE=0被认为完全导通深度导通

两种角度解释测试方法同样适合MOS管，独立测试器件三极管或者MOS管是想研究三极管的电流电压特性。掌握器件特性，再从实际应用角度利用外部电压电流条件使之达到器件（三极管或者MOS管）特性实现的外围条件。

MOS管器件性能测试过程像下面的IRF740测试，Ugs固定值，逐渐增加Uds电压，Id逐渐增大（可变电阻区）到达预夹断，再增大Ugs进饱和区Id不变。

实际应用角度却是逐渐增大Ugs，漏极串一电阻再接到电源正极，电源电压不变，Ids随着Ugs增大则Uds逐渐减小的相反的过程。MOS管从饱和区进入可变电阻区，最后Ugs增大，越大，越容易让DS导通，从特性曲线看，Ugs电压越大，对于漏源极导通时的回路电流值，Uds 约是接近0 伏。

三极管也可以按照MOS管这两个角度分析

参考童诗白的第四版模拟电路

但是光纤板的IRF620符合电压电流曲线

但是尘板电路的4-20毫安电路MOS管的电压电流曲线和规格书对应不上不知道为什么？待议。以下是尘板恒流源的解释仿真

尘板恒流源4-20mA实例

Ugs=7.91-4=3.91v,Uds=17.9-4=13.9v,Ids=4/10K=0.0004A,Rds=13.9/0.0004=34750Ω（电阻很大，也就是恒流源内阻很大）

Ugs=7.91-4=3.91v,Ids=4/10K=0.0004A,的曲线，IRF740规格书中没有描绘，因为太靠近底部了

同理跟随器输入端输入0.8V时候也是类似情况，IRF740规格书中没有描绘，因为太靠近底部了

当跟随器输入端输入电压大于等于24*10/(10+15)=9.6时候,也就是MOS管完全导通压降为0的时候运放的反馈能力已经不能是同相反相端相等，将会出现异常，仿真报警

Ids最小值是0.1A,Ugsz最小值4.5V，Vds=0.1V低于这些数值的没有描绘。根据比例Ugs=3.91v对应的电流曲线应该很靠小，在0.1A以下。图中仿真为0.0004A

以下是IRF740MOS管单独外加电源测试

Ugs=5V时候，Vds=2V,Ids=2.835A

Ugs=5V时候，Vds=3V,Ids=3.148A,临界饱和电流点

Ugs=5V时候，Vds=10V,Ids=3.151A，已经趋近饱和不会再显著增大，符合曲线特性

标签：MOS,三极管,导通,电压,Ugs,饱和
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