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初级模拟电路:3-9 BJT三极管实现逻辑门

作者:互联网

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      BJT晶体管可以实现逻辑门,事实上,在场效应管被发明用于集成电路以前,各种逻辑门芯片中的电路就是用BJT晶体管来实现的。最早人们使用二极管与BJT组合来实现逻辑门,这个称为二极管-晶体管逻辑(Diode-Transistor Logic),简称DTL;后来改进为全部用BJT晶体管来实现逻辑门,这个称为晶体管-晶体管逻辑(Transistor-Transistor Logic),简称TTL。早期广为人知的TTL电平,就是基于这种用BJT晶体管实现的逻辑门。TTL的优点是响应速度比较快,缺点是功耗较大,所以后来基本被功耗更低的场效应管取代。

      我们这里仅介绍几个最简单的逻辑门的实现:反相器、或非门、与非门,主要是用来说明概念。除非你是专门设计逻辑门芯片的,否则一般平时也不太可能用分立元件去搭建逻辑门,还有就是在电路修补中万不得已时应急用一下。

      在前面几小节的放大电路中,BJT都工作于放大区。而在用BJT实现逻辑门时,却要使用饱和区和截止区,而不能使用放大区,这个是逻辑电路和放大电路的在使用BJT时的根本区别。

 

 

1. 反相器

      反相器的功能很简单,就是将输入的电平反向输出:输入高电平-输出低电平、输入低电平-输出高电平。下面是反相器的实现电路:

图3-9.01 

      在作逻辑分析时,我们一般做如下近似:将VBE的导通值视为0.7V,将典型值为0.1V~0.3V的饱和电压VCEsat近似视为0.2V。

      下面是反相器电路工作原理:

      • 当vi输入为0V时,BJT截止,vo输出电平即为5V。

      • 当vo输入为5V时,BJT的CE端导通,产生电流IC,若此时BJT处于饱和区,VCE近似可视为饱和电压0.2V,此时输出电平vo即为0.2V。

      这个电路的关键点在于如何选取合适的RB与RC值以确保BJT在导通时确实工作于饱和区。一般可以先根据外部负载条件定出一个符合输出阻抗要求的RC,然后再根据饱和要求,用公式原理推算出能使BJT进入临界饱和的大致RB值,再加点余量。最后验证在高电平输入条件下,BJT在此RB配置下是否确实工作于饱和区。具体方法可参看下面的案例:

案例3-9-1:在下图的反相器中,已知β=100,根据外部负载匹配,要求RC为500Ω,请选取合适的RB值使反相器能正常工作。

图3-09.a1 

 

解:先计算出,在这个RC条件下,当BJT处于临界饱和时的ICsat值:

      然后计算临界饱和时的IBsat值(当处于临界饱和时,β仍视为100):

      使此IBsat成立的RBsat为:

      为使BJT进入更深度的饱和,我们选取RB为比RBsat更小的值,假定选取为20kΩ。

 

验证:当RB为20kΩ时,IB为:

      此时电流放大倍数为:

      可知,在此RB值下,BJT导通时确实处于饱和区,原假设正确。

 

 

2. 或非门

      或非门BJT实现电路和输入输出真值表如下图所示(其中1表示高电平,0表示低电平):

图3-9.02 

      • 当vi1和vi2输入都为0V时,晶体管Q1和Q2都截止,vo输出电平为5V。

      • 当vi1输入为5V、vi2输入为0V时,晶体管Q1导通、Q2截止,由于Q1工作于饱和区,VCE1=VCEsat≈0.2V,故vo输出电平为0.2V。

      • 同样的,当vi2输入为5V时、vi1输入为0V时,晶体管Q2导通、Q1截止,VCE2=VCEsat≈0.2V,故vo输出电平为0.2V。

      • 当vi1和vi2都输入0V时,晶体管Q1和Q2都导通,VCE1=VCE2=VCEsat≈0.2V,故vo输出电平为0.2V。

      关于如何配置RB1、RB2、RC的值使BJT晶体管工作于饱和区,这个和前面反相器的计算方法是类似的,可参看上面的案例3-9-1。

 

 

3. 与非门

      与非门的实现需要二极管的配合,其实现电路和真值表如下图所示:

图3-9.03 

      • 当vi1和vi2输入中有任一个为0V时,输入二极管Di1或Di2就会导通,此时v1点的电压即为二极管的导通阈值电压0.7V。这个电压无法使右边的D1和Q1都导通,因为若要使D1和Q1的发射结都导通,vB点的电压起码需要0.7V,而v1点的电压需要0.7+0.7=1.4V。而在v1只有0.7V的情况下,右边的D1和Q1的发射结每个只能分到0.35V左右的电压,故D1和Q1都截止,输出vo保持5V的高电平。

      • 当vi1和vi2输入全都为5V时,输入二极管Di1和Di2全都截止,此时VCC会使R1、D1和Q1形成通路,vB点的电压为0.7V,v1点的电压为1.4V。由于Q1导通时工作于饱和状态,故输出vo为VCEsat约等于0.2V。

      至于如何配置R1、RB、RC,原理和前面是一样的:根据输出阻抗匹配先定RC,然后计算为使Q1进入饱和区的R1,具体方法可参看前面的案例3-9-1。

      顺便提一下,RB称作下拉电阻,其主要作用是当Q1从饱和状态切换到截止状态时,使基区过剩的少数载流子有个渠道流掉,以减少切换开关时间。这个稍微了解一下即可,一般选一个大约的几千欧的阻值就差不多了,在要求不高的场合下,即使不用RB也问题不大。

 

 

4. 关于TTL

      在上面电路中,我们用DTL(二极管-晶体管逻辑)实现了与非门。如果你想知道传说中的TTL(晶体管-晶体管逻辑)到底是什么样的,那么本小节可以稍稍满足一下你的好奇心。

      我们仍以上面的与非门为例,假设先去掉Di2,那么,在图中两个背靠背的二极管Di1和D1,其实可以看成是一个NPN型三极管,如下图所示:

图3-9.04 

      我们前面说过,在分立元器件的BJT晶体管中,C极和E极的掺杂浓度是不对称的,所以分立元器件中不能像上图这样等效,但是在制作集成电路芯片时,是可以在片上做成像上面右图那样的对称管的。

      而且,在集成电路制作时还可以加入多个发射极,如下图所示:

图3-9.05 

      如此,就实现了一个二输入与非门的TTL电路。如果要实现n个输入的与非门,还可以加入n多个发射极。当然,这种多发射极的BJT晶体管只能在集成电路芯片中实现,分立元器件的话是没有这种器件的。

     

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( end of 3-9)


标签:Q1,三极管,晶体管,初级,BJT,RB,饱和,输入
来源: https://www.cnblogs.com/initcircuit/p/11803007.html