HK1225-7EQ通用NVRAM非易失性存储器使用说明书资料

一． 引脚排列

 

二． 读取模式 HK1225在WE（写使能）被禁止（high）且CE（片选）被选中（Low）且CE2（片选2）被选中（High）并且OE（读信号）被使能（Low）执行一次读循环。13个地址输入线（A0-A12）指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后8位数据输出驱动器将在tACC时序内得到有效数据。   三、写模式 地址输入稳定后，HK1225在WE和CE信号处于激活（低电平）状态且CE2（片选2）被选中（High）为写模式。最后出现的CE或WE下降沿将决定写循环的开始，写循环终止于CE或WE前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持有效。在下一个循环能被初始化前，WE写信号必须将高电平保持最少记录时间（tWR）。写循环期间OE控制信号应当保持失效（高电平），避免总线冲突，如果输出总线已经有效（CE和OE激活），则写信号可以在tODW时序内从下降边沿开始禁止输出。   四、数据保存模式 HK1225为Vcc提供全部功能，当Vcc大于4.5伏或4.75伏,写保护为4.35伏或4.75伏。当Vcc掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的需要。HK1225通常监视Vcc。如果支持电压降低，RAM自动写保护其本身。所有对RAM的输入变为“不接收”，所有输出为高电阻。当Vcc降低到大约3.0伏时，电源转换电路将用锂电源向RAM供电保存数据。电压升高时，当Vcc升高到大约3.0伏时，电压转换电路将外部Vcc与RAM连接。正常RAM操作在Vcc超过4.5伏或4.75伏后能够重新开始。   五、出厂状态及运输 HK1225从宏空半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应超出1.5G否则影响寿命   六、各项指标 最大范围
各脚对地电压 -0.3~5.0V
储存温度 -40~70 
焊接温度 200不能超过5秒
操作温度 0~55 准工业级0~70 
工业级-40~70
注：长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期   推荐操作条件 (0to70)     直流特性 (0to70;Vcc=5V±10%)     读写电特性 (0to70;Vcc=5V±10%)     建议电源上下电时间   需要存储器芯片的可以联系我哦！ 代理存储器芯片！价格优势！大量现货！  深圳市动能世纪科技有限公司       郭工 TEL：18025394686 QQ：2355573216

标签：RAM,Vcc,非易,CE,0to70,NVRAM,7EQ,循环,HK1225
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