存储介质的访问读写性能概述

读写访问　　

　　L1CACHE：连读大概1700GB/S；连写大概870GB/S；(latency)大概1.1ns

　　L2CACHE：连读大概500GB/S；连写大概270GB/S；(latency)大概3.4ns

　　L3CACHE：连读大概200GB/S；连写大概150GB/S；(latency)大概15.8ns

　　DDR4：连读大概60GB/S；连写大概48GB/S；(latency)大概67.8ns

　　nvme(Non Volatile Memory Express) ssd（M.2 NVMe协议）：连读大概2000MB/S；连写大概1700MB/S；

　　sata ssd（M.2 SATA通道）：连读大概450MB/S；连写大概400MB/S；

　　普通ssd：连读大概220MB/S；连写大概80MB/S（和机械的性能差不多）；随机读大概5.3MB/S（数据块512字节），24.7MB/S（数据块4k字节）；随机写大概10.2MB/S（数据块512字节），68.9MB/S（数据块4k字节）；

　　机械硬盘：连读大概100～150MB/S；连写大概80MB/S；随机读大概0.04MB/S（数据块512字节），0.3MB/S（数据块4k字节）；随机写大概0.08MB/S（数据块512字节），0.6MB/S（数据块4k字节）；

 

寻址：

　　DDR4：6ns左右(1ms=1000000ns)

　　机械硬盘：1s/7200(转)=0.14ms

　　SSD：0.1ms

 

详情如下图：

            

 

 

说明：

　　内存的延迟时间(也就是所谓的潜伏期，从FSB到DRAM)等于下列时间的综合：FSB同主板芯片组之间的延迟时间(±1个时钟周期)，芯片组同DRAM之间的延迟时间(±1个时钟周期)，RAS到CAS延迟时间：RAS(2-3个时钟周期,用于决定正确的行地址)，CAS延迟时间 (2-3时钟周期,用于决定正确的列地址)，另外还需要1个时钟周期来传送数据，数据从DRAM输出缓存通过芯片组到CPU的延迟时间(±2个时钟周期)。一般的说明内存延迟涉及四个参数CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延迟，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延迟，RAS Precharge（RAS预冲电压）延迟，Act-to-Precharge（相对于时钟下沿的数据读取时间）延迟。其中CAS延迟比较重要，它反映了内存从接受指令到完成传输结果的过程中的延迟。大家平时见到的数据3—3—3—6中，第一参数就是CAS延迟（CL＝3）。当然，延迟越小速度越快。

 

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来源： https://www.cnblogs.com/sfzlstudy/p/15852383.html