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IGBT最小死区时间计算

2021-11-12 18:31:55 作者：互联网

死区时间的设置是为了避免上下两桥臂同时导通

以IGBT STGWA19NC60HD为例

感性负载时，开关特性的测试电路

开启和关断的波形图：

可以看出，下降沿明显比上升沿时间长很多，所以从下降沿这一侧开始考虑

乍一看，死区时间恰好为 $t_{off}$ ，即从VGE刚开始下降(90%)，到电流IC刚开始下降，再到IC下降至10%的时间：td(off) + tfall = 144ns + 128ns = 172ns

但是，还需要考虑上升沿一侧！

想象一下我们上管开始关断，给下管的开启预留一个172ns的死区时间，172ns时间到，上管成功关断，但是下管的开启仍然至少需要td(on) = 24ns的时间来让电流IC成功升起(10%)，这24ns就浪费了。

所以最小死区时间的计算应该把上升时间考虑进去，即 $t_{delay}(min) = t_{d(Voff)} + t_{f} - t_{d(on)} = 144 + 128 - 24 = 148ns$

算了半天，然而实际应用中保险起见还是粗略选用400ns左右的delay time （微笑）

标签：关断,172ns,最小,下降,IGBT,时间,计算,IC,td
来源： https://blog.csdn.net/qq_42437072/article/details/121292619