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SOC上的Flash

作者:互联网

        Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反.

一、Nor 和 Nand Flash: 

Flash 因其非易失性及可擦除性而在手持设备中得到广泛的使用。Nor 和Nand 是两种主要的非易失闪存技术。

        NOR Flash需要很长的时间进行抹写,但是它提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。

        NandFlash上面读写数据要外部加主控和电路设计。NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线,它必须以区块性的方式进行读取,NAND Flash典型区块大小是数百至数千bit。所以NAND Flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。

附注:eMMC 

        eMMC (Embedded Multi Media Card) 为MMC协会所订立的,eMMC 相当于 NandFlash+主控IC ,对外的接口协议与SD、TF卡一样,主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器,它提供标准接口并管理闪存,使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说,同样的重要。 eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成,带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备(Nand Flash)及主控制器,所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MBytes,eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是 1.8v 或者是 3.3v。

推荐参考:http://blog.csdn.net/jxhui23/article/details/8113217 ( NorFlash和NandFlash的区别)

http://blog.csdn.net/shanghaiqianlun/article/details/6992915(NandFlash的外部电路设计)

 

二、Flash控制器(接口电路):

分类:

Quad-SPI Flash 控制器, NAND Flash 控制器, and SD/MMC 控制器

标签:SOC,eMMC,NandFlash,Flash,NAND,擦除,控制器
来源: https://blog.csdn.net/woshidytgg/article/details/73382235