6N65-ASEMI高品质MOS管6N65

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6N65-ASEMI高品质MOS管6N65

型号：6N65

品牌：ASEMI

封装：TO-220

电流：6A

电压：650V

正向电压：

引脚数量：3

芯片个数：

芯片尺寸：

漏电流：

特性：场效应管

工作温度：-55~+150℃

6N65的电性参数：最大正向平均电流6A；最大反向峰值电压650V

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

标签：6N65,MOS,沟道,漏极,ASEMI,电流,ID
来源： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/15474731.html