Exploiting DRAM Restore Time Variations in Deep Sub-micron Scaling

• restore time - the time required to fully charge the storage capacitor
• 划分内存组为块，并将每个块的时间参数的不同暴露给内存控制器，通过重新组织物理块为逻辑块，可以创造出更多的快速块并减少缓慢块的数量
• tWR-write recovery time
• 芯片成品率和tWR
  • tWR和DRAM芯片的性能相关，而生产出的每一块DRAM的tWR不可能是相同的，为了统一，就有了tWR标准，tWR高于标准的认为是劣品，反之为良品
• Chip-specific tWR Control - 在生产后立即测算芯片的tWR，用相同或相似tWR的芯片组成DIMM
• Chunk-specific tWR Control - 划分内存组为多个内存块，将块级tWR设置为这个块中芯片的最长tWR
• Constructing Fast Chunks through Chunk Remapping

标签：Control,Restore,Sub,芯片,Exploiting,tWR,内存,time,DRAM
来源： https://blog.csdn.net/gtyinstinct/article/details/120571806