计算机组成原理笔记（3）---主存储器
作者：互联网
目录
1 存储器分类
1.1 按存储介质分类
（1）半导体存储器：TTL、MOS
（2）磁表面存储器：磁头、载磁体
（3）磁芯存储器：硬磁材料、环状元件
（4）光盘存储器：激光、磁光材料
1.2 按存储方式分类
（1）随机访问：存取时间与物理地址无关
随机存储器---在程序的执行过程中可读可写
只读存储器---在程序的执行过程中只读
（2）串行访问：存取时间与物理地址有关
顺序存取存储器---磁带
直接存取存储器---磁盘
1.3 按在计算机中的作用分类
2 存储器的层次结构
2.1 存储器三个主要特性：速度、容量、价格
2.2 缓存-主存层次和主存-辅存层次
（1）缓存---主存（速度）---主存储器
（2）主存---辅存（容量）---虚拟存储器、虚地址、逻辑地址
3 主存储器
3.1 概述
3.1 主存储器的基本组成（存储体、MAR、MDR）
3.2 主存与CPU的联系
3.3 主存中存储单元地址的分配
3.4 主存的技术指标
（1）存储容量：主存存放二进制代码的总位数
（2）存储速度：
存取时间：存储器的访问时间；读出时间；写入时间
存取周期：连续两次独立的存储器操作；（读或写）所需的最小间隔时间
----一般来说，存取周期>存取时间
（3）存储器的带宽 位/秒
4 主存储器---半导体芯片
4.1 半导体存储芯片的基本结构
4.2 半导体存储芯片的译码驱动方式
（1）线选法
1M一兆就需要20根地址线，对于大容量存储是很难得，所以有下面的重合法
（2）重合法
5 随机存取存储器（RAM）
5.1 静态RAM（SRAM）
双稳态触发器保存数据0/1
5.2 静态RAM芯片举例---Intel21141K*4位的容量
5.2 动态RAM（DRAM）
利用电容保存0/1，有电荷为1，无电荷为0
（1）动态RAM基本单元电路
左侧为三管结构；右侧为单管结构
（2）动态RAM芯片举例
图中有刷新放大器，电容电荷会流失，定时进行刷新，保证电荷量
（3）动态RAM刷新
电容中的电荷量会丢失，需要及时刷新，刷新与行地址有关，每次刷新都是一行为单位
a、集中刷新（存取周期为0.5us）
b、分散刷新（存取周期为1us）----无死区，但是过度刷新
c、异步刷新---分散刷新与集中刷新相结合
5.3 动态RAM（DRAM）与静态RAM（SRAM）的比较
DRAM用于主存，SRAM用于缓存（cache）---CPU和主存之间的缓存
6 只读存储器（ROM）
6.1 掩膜ROM（MROM）
行列选择线交叉处有MOS管为“1”；无MOS管为“0”
6.2 PROM（一次性编程）
6.3 EPROM（多次性编程）
紫外线擦除
6.4 EEPROM（多次性编程）
电可擦写---局部擦写---全部擦写
6.5 Flash Memory（闪速型存储器）
EPROM---价格便宜、集成度高；EEPROM---电可擦洗重写---比EEPROM快、具备RAM功能
7 存储器与CPU的连接
7.1 存储器容量的扩展
（1）位扩展---增加存储字长
（2）字扩展
（3）同时扩展（字、位扩展）
7.2 存储器与CPU的连接
（1）地址线的连接---低位连地址，高位连片选CS
（2）数据线的连接
（3）读/写命令线的连接
（4）片选线的连接
（5）合理选择存储芯片：系统程序、配置信息（ROM）；用户程序（RAM）
（6）时序、负载
8 存储器的校验
电容中的电荷量受到影响会发生存储信息错误
编码的检测能力和纠错能力---任意两组合法代码之间二进制位的最小差异数
8.1 编码的最小距离
任意两组合法代码之间二进制位数的最小差异
8.2 汉明码的组成---奇偶校验、分组校验
标签：存储器,RAM,主存,笔记,---,主存储器,刷新 来源： https://blog.csdn.net/plain_rookie/article/details/118893124