半导体随机储存器

半导体随机储存器简介

RAM：Random Access Memory
D：Dynamic
S：Static
主储存器 【内存】 DRAM
缓存 【Cache】 SRAM 靠近CPU的区域
DRAM单位成本低于SRAM速度也慢于SRAM，DRAM使用更多的硅

DRAM 与 SRAM

• 概念与名称

Name	Meaning
储存元	存放二进制物理原件
储存单元	地址码相同的储存元叫做储存单元
储存体	储存单元的集合叫做储存体

1. SRAM：
   使用双稳态触发器，六晶体管MOS来记忆信息的。因此及时信息被读出来了以后，保持原状态而不需要再生

SRAM存取速度快，集成度比较低，工号比较大 一般用高速缓冲储存器；

2. DRAM：
   使用栅极电容的电荷来储存信息。DRAM基本储存元通常指使用一个晶体管。
   所以他的密度要比SRAM高很多，DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行，列两次传送
   DRAM优点：集成容易，位阶低，容量大，功耗低的功能；
   电容上的电荷一般只能维持1～2ms，及时电源不断电，信息也会自动消失，为此每隔一段时间必须要刷新，通常选择2ms。

刷新的方式选择：

    集中刷新： 在一个刷新周期内，利用一个固定的时间，对储存器的所有行进行逐一再生。
    再次期间停止对储存器的读写操作，称之为死时间，访存死区

    分散刷新： 对每行的刷新分散到各个工作周期，前半部分用于正常读写和保持； 后半时间用于刷新某一行。
    这种刷新方式增加了系统的存取周期，例如储存芯片的存取周期0.5 us. 则系统的存取周期为1us
    没有死时间，死区，但是增加了系统的存取时间；


    异步刷新：结合了前面两个方法的。缩短了死时间，用分利用最大刷新时间2ms的特点。具体做法是刷新周期除以行数，
    得到两次刷新的时间间隔t，利用逻辑电路每隔电路刷新一次请求。提高了整体工作效率。  

刷新需要注意以下的问题：

1. 刷新对CPU是透明的，刷新不依赖与外部的访问。
2. 动态RAM刷新单位是行，仅仅需要行地址
3. 刷新类似于读操作，仅仅是补充电荷并不信息刷出

读写周期。

特性	SRAM	DRAM
储存信息	触发器	电容
破坏性读出	非	是
需要刷新	否	是
送行列地址	同时	分两次
运行速度	快	慢
集成度	低	高
功耗	高	低
储存成本	高	低
主要用途	高速缓存	主机内存

---

只读储存器 ROM

ROM，RAM都是支持随机存取的储存器，其中SRAM和DRAM均为易失性半导体储存器；
ROM中一旦有了信息，就不能轻易改变，就算是掉电也不会丢失；

特点：

1. 结构简单，所以位密度比可读可写的储存器高；
2. 具有非易失性，所以可靠性高；

ROM的类型：
按照制作的工艺不同可以分成： 掩模式制度储存器MROM，一次可编程只读储存器PROM，
可擦除编程只读储存器EPROM，闪存储存器Flash Memory，固态硬盘 Solid State Drives。

名字	特点
MROM	内容在生产的时候直接写入，无法更改，可靠性好，便宜；
PROM	一次性编程，编程器写入自己程序，写入后无法更改；
EPROM	多次修改写入，分成紫外线UVEPROM，电擦E2PROM；
Flash Memory	在EPROM基础上发展起来，不加电长期保存信息，又能实现在线擦出
SSD	固态电子储存芯片阵列硬盘，控制单元FLASH和储存单元。低功耗，读写快，价格高

标签：储存,ROM,SRAM,储存器,随机,半导体,刷新,DRAM
来源： https://www.cnblogs.com/keepcharging-wang/p/14960734.html