模拟电路,包括低频(模拟电子技术基础)和高频(高频电子线路)
作者:互联网
文章目录
- 高频与低频的区别
- 低频:
- 1.半导体器件
- 低频:
- 2.基本放大电路
- 4.反馈
- 5.振荡器
- 6.稳压电源
- 高频:
- 1.高频小信号放大器
- 2.高频功率放大器
- 3.混频/变频/超外差
- 4.调幅AM的调制与解调
- 5.调频FM的调制与解调
高频与低频的区别
高频电路的负载电路一般为选频电路。
低频电路的负载电路一般为电阻。
低频:
1.半导体器件
1.1.PN结:
1.偏置时,电场增强。
2.正偏和反偏:
正向偏置,扩散电流,正向电流大。
反向偏置,漂移电流,反向电流几乎没有。
1.2.二极管
典型电路:钳位电路
二极管负极电位=max[正极电位,负极电位]。
典型电路:整流滤波电路
只保留上半区波形。
典型电路:稳压二极管
1.稳压时,工作在反向击穿区。
2.并联稳压。
1.3.BJT
截止区:e反向偏置,c反向偏置。
放大区:e正向偏置,c反向偏置。
饱和区:e正向偏置,c正向偏置。
2.温度越高,放大系数增大。
低频:
2.基本放大电路
2.1.三种接法
三种接法:共x->x极接地或经过电阻后接地
共E:放大i,u
共C:放大i
共B:放大
2.2.结构
RB:提供iB
RC:提供iC,将iC转换为uC
VCC:提供能源,保证工作在放大区。
2.3.等效电路
直流等效:C开路。确定静态工作点。
交流等效:C、uS短路。确定交流参数(rbe,Ri,Ro,Au)。
2.4.失真
截止失真:削正半周。静态工作点过低。减少RB。
饱和失真:削负半周。静态工作点过高。增大RB。
2.5.求静态工作点
求静态工作点:
通过RB求UBQ->通过UBQ和UBEQ求IEQ->通过IEQ求IBQ、UCEQ
4.反馈
4.1.电压/电流反馈
电压xx:反馈电路接输出点和输出点在同一极
4.2.串联/并联反馈
xx串联:反馈信号与xS串联(u相加)
xx并联:反馈信号与xS并联(i相加)
4.3.反馈的影响
电压xx:稳定uo,Ro减小
xx串联:Ri增大
5.振荡器
5.1.概念
直流(VCC)变交流震荡,无需外加激励。
5.2.平衡与稳定条件
振荡平衡条件:幅度AF=1,相位2n·pi
起振平衡条件:幅度AF>1
振幅平衡稳定条件:放大器的放大倍数随振幅的增大而下降,即有源器件处于非线性状态
相位平衡稳定条件:相频特性曲线在谐振频率附近具有负的斜率,即LC并联谐振回路
5.3.组成
放大电路,正反馈,选频,稳幅
正反馈:等效于引入负电阻,抵消LC回路电阻到0,从而获得等幅振荡。
5.4.类型:
<几兆Hz(低频):RC(文氏电桥)
几十k~几百兆Hz(高频):LC
石英晶体振荡电路:
核心是晶振。原理是压电效应。
优点:频率高度稳定,高振荡频率
LC反馈性振荡电路:
起振条件
E两端同为L或C,B两端一个L一个C
电感反馈式三端振荡器(哈特莱振荡器)
特点:C与B接于LC回路两端,E接于L中部
优点:容易起振,改变C不影响F。
缺点:波形不够好,工作频率升高影响F。
电容反馈式三端振荡器(考毕兹振荡器)
特点:与哈特莱类似,但LC互换,E接于两个C之间
优点:波形好,适用于高工作频率,加大C可使频率稳定。
缺点:改变C影响F,但可通过L并联一个可变C来解决。
克拉泼振荡器
特点:与考毕兹类似,但L额外串联一个C。
优点:串联C和L决定f,并联C决定F
缺点:若串联C过小会导致难以起振
6.稳压电源
组成
整流电路、滤波电路、稳压电路
整流电路
单相桥式整流:二极管方向都是从左指向右
滤波电路
电容并联滤波
稳压电路
稳压二极管并联稳压
高频:
1.高频小信号放大器
1.1.组成
负载(选频电路),放大器
分类:
负载:谐振放大器(LC谐振回路),集中选频放大器(石英晶体)
1.2.性能指标
Au和Ap
BW:3dB
选择性Kr0.1:
工作稳定性:
噪声系数SNR:越接近
1.3.选频电路
LCR串联:f,Q,BW。大于f呈L。
LCR并联:f,Q,BW。大于f呈C。
集中选频放大器
1.4.放大电路
单管共E电路:
差动电路:
2.高频功率放大器
2.1.区别
器件 | 增益 | 晶体管工作状态 | 输入信号 |
---|---|---|---|
高频小信号放大器 | U | 线性 | 高频小信号 |
高频功率放大器 | P | 非线性 | 高频大信号 |
2.2.典型电路:丙类
组成
谐振回路:选基频,阻抗匹配
丙类放大器:正半周放大管导通,导通角<90
为什么选丙类
丙类的导通角,使得它在同样输出P的情况下C耗散P最小。
1.放大器原理都是利用输入到B的信号,控制C的VCC所提供的直流P,将直流P转变为交流输出P。
2.VCC所提供的直流P总有一部分成为C耗散P。设法降低C耗散P,则交流输出P会增大。
3.C耗散P总是等于uC·iC。只要谐振回路对基频呈纯电阻型阻抗(即谐振),则iC只在uC很低的时间内通过,C耗散P就能减小。
分析方法
折线法:
工作状态
1.欠压:
过压:RP变化时,uO比较平稳
临界:输出P最大
2.VCC增加,进入欠压状态,Icm与输出P影响不大,因此要在过压区C调幅。
3.Vbm增加,进入过压状态,Icm与输出P影响不大,因此要在欠压区B调幅或已调波放大。
功率
Po=IC1·IC1·R/2
Pe=VCC·IC0
3.混频/变频/超外差
含义
将调幅波的载波频率从高频变为中频。
输入:高频调幅波fs
本地:本振等幅波fo
输出:中频调幅波fi=fo-fs
原理
1.由于器件在非线性状态下,i-u特性曲线非线性,可通过傅里叶变换分解成正弦函数之和,导致通过该器件的正弦波会产生基波f以外的谐波。
2.谐波最高次数n为3,即一般不超过三次谐波。
3.非线性电路不满足叠加原理。
4.混频统一变为固定中频,使中频放大器的性能指标与载波频率无关,从而使接收机的灵敏度和选择性稳定。
电路
共E,B接输入fs,E接本地fo。
放大器完成混频和振荡器的工作。
优点:波形好,失真小。
干扰
p+q≤谐波次数n
组合频率干扰
f s ≈ p ± 1 q − p f i f_s\approx \frac{p\pm 1}{q-p}f_i fs≈q−pp±1fi
表现:哨叫声
副波道干扰
f n ≈ 1 q ( p f o ± f i ) f_n\approx \frac{1}{q}\left( pf_o\pm f_i \right) fn≈q1(pfo±fi)
表现:哨叫声
中频干扰
副波道干扰中,p=0,q=1
表现:哨叫声
镜像干扰
副波道干扰中,p=1,q=1
交调
克服干扰
1.最关键:提高前端电路选择性
2.合理选择fi
3.合理选用电子器件与工作点
4.调幅AM的调制与解调
4.1.调制
利用信号控制载波的某一参数,使载波的该参数随信号而变化。
调制前的是调制信号,调制后的是调幅波。
连续波调制:AM、FM、PM。控制载波的A、f、θ。
脉冲波调制:
4.2.调幅波的性质
调幅度越高,上下边带功率越大,而边带包含信号,因此传输能力越强。
1.调制信号的频谱被搬移到以载波频率为中心的位置,有上边带和下边带。
2.载波功率占调幅波功率的绝大部分,但并不包含信号。
3.调幅度越高,载波功率占调幅波功率的比重越低。
4.3.1.平方律调幅
原理
调制信号与载波相加,同时加入非线性器件(二极管或BJT),然后通过BPF
特点
调幅度低
4.3.2.平衡调幅BM/DSB调幅
特点
输出DSB,即只有上下边带,没有载波
4.3.3.SSB调幅
原理
BM后抑制一个边带(例如通过滤波器或移相)
4.3.4.高电平条幅
4.5.检波/解调
还原信号与AM信号的包络变化规律一致。
组成:非线性器件,LPF
4.5.1.包络检波
输入
除了SSB
原理
非线性器件(二极管或BJT)完成频率变换,然后通过LPF
4.5.2.同步检波
输入
DSB和SSB
原理
输入信号与本地载频信号(与输入信号载频完全相同)相乘,然后通过LPF
5.调频FM的调制与解调
标签:调幅,振荡器,电路,信号,高频,放大器,电子线路,模拟 来源: https://blog.csdn.net/jieyannn/article/details/115336424