电路——三极管
作者:互联网
三极管
P(Positive)型半导体 硼,空穴为多数载流子
N(Negative)型半导体 磷,电子是多数载流子
N区多子电子往P区移动,叫多子的扩散运动
随着扩散运动,空间电荷区越来越厚,电压越来越强,内电场越来越来强
少子的运动叫漂移运动,内电场越强,漂移运动越强,会使空间电荷区变薄
扩散和飘移会达到动态平衡
PN结正向偏置,P端电压>N端电压,电流大于0.7V导通,视同于导体,空间电荷区消失
空间电荷区没有载流子,电流将载流子推进空间电荷区让其获得载流子,所以空间电荷区变小了
PN结反向偏置,P端电压< N端电压,空间电荷区变厚,视同于断开的开关,但是仍然有电流
正偏大于0.7V才能导电,反偏电流极其微小,严谨的说可以导电,发生反向击穿
PN结的电容效应
当PN结上的电压发生变化时,PN结中储存的电荷量将随之发生变化,使PN结具有电容效应
电容效应包含势垒电容和扩散电容
1.势垒电容Cb
由空间电荷区变化产生
2.扩散电容Cd
多数载流子扩散运动中积累而引起的
一般来说,二极管正向偏置时扩散电容起主要作用,反向势垒电容,CbCd都很小,高频信号通过时才需要考虑
反向击穿:
恒压降模型:导通保持0.7V
三极管
三级两节三区
放大区:
集电极反偏:VB<VC
发射结正偏:VB>VE,发射区电子不断向基区扩散,形成发射级电流IE
发反:没有IC流出
IB越大IC越大
发正集正:饱和,看成以B为开关控制CE,B高通路
输入特性曲线:IBE>0.7V才有
输出特性曲线:集电结反偏程度增加,集电节对基区吸引力变大,导致基区单身狗被吸完,饱和放大截止区
三极管对温度敏感,温度升高时正向曲线向左移
放大区 NPN:C>B>E
PNP:C<B<E
硅0.7,锗0.2
三种工作状态:
标签:端电压,空间电荷,电容,三极管,0.7,载流子,电路,PN 来源: https://www.cnblogs.com/rt8090/p/14226030.html