【海东青电子-简书】touchgfx 之 《IAR-hex文件的烧写方法》
作者:互联网
IAR ---- 跟KEIL一样,TouchGFX自动生成的工程项目,在IAR中同样不能正确烧写片外flash!不过,经过适当的手动配置,IAR是可以烧写片外flash的,只是要费些周折。下面以Clock例程为例说明配置过程。
以STM32F769I-DISCO板子为例,创建一个TouchGFX工程,并使用系统自带的Clock例程:
图一
不需要编写任何代码,使用Clock例程就行,先运行VS、看看在仿真器上是否能正确跑起来这个Clock。然后,进入IAR,因为使用的是目前最新的IAR版本V8.32,所以要使用 IAR8.x 这个目录下的IAR工程:
图二
这个目录中还有 .board、.flash等文件,这些文件非常重要,烧写flash就靠他们了,后面将详述。双击 application.eww ,打开IAR,如果弹出询问是否升级的窗口:
图三
选择 Yes ,转换成新版的工程文件,然后就进入了IAR界面。 按下 F7 编译:
图四
IAR正确生成了out 和 hex 目标文件。尝试下载:
图五
弹出一个错误信息:
图六
大意是:系统在生成flash算法时出错了,左下方的 Debug Log 中有详细解释:
图七
图七中显示了一个警告:烧写flash警告,代码段位于地址 [0x90000000,0x9003CC5F] 范围的将不能被烧写。这个地址范围正是片外flash的地址,检查一下当前IAR关于烧写flash的配置情况,Alt+F7 打开工程选项,在 =>调试器=>下载 选项页下,有一个 .board 文件:
图八
IAR项目主目录下有一个 FlashSTM32F76xxI.board 文件,它描述了目标板子上flash的“配置”情况,在上图中直接点击 Edit 按钮就可以打开这个文件:
图九
可以看到,.board 文件中描述了F7片内2个地址段对应的烧写算法文件(.flash文件),但没有配置片外地址为0x9000 0000开始的flash对应的算法文件,所以造成烧写失败。
通过查找IAR的相关资料,并仿照另外一个IAR支持片外flash烧写的ST官方开发板的 .board 文件,针对 STM32F769I-DISCO 板子重新编写了几个烧写片外flash的算法文件、一共6个文件如下:
图十
【 网盘下载地址:https://pan.baidu.com/s/1Q_lG1L_7NpJAhYBX8MqJ6g,提取码:toyr 】
将这6个文件全部copy到IAR工程目录下:
图十一
在IAR中重新指定烧写flash的 .board 文件为 FlashSTM32F769I-DISCO.board :
图十二
再次点击 Edit 查看:
图十三
地址0x9000 0000已经有对应的算法文件了(并且,去掉了本项目中没用到的TCM flash)。再次下载,目标板成功烧写:
图十四
板子实际跑的效果:
图十五
也许有网友好奇:那个 FlashSTM32F769I-DISCO.board 文件,以及其他5个文件是怎么做出来的?对这些文件制作过程以及分析思路感兴趣的朋友请继续往下看。
烧写算法文件制作我们使用自己修改的 .board 文件成功实现了IAR烧写片外flash,下面说说这个 .board 文件的制作过程。
KEIL中的flash算法烧写文件是 *.flm 文件,例如,STM32F769I-DISCO 板子对应的是 STM32F769I_QSPI_Macronix.FLM 文件:
图一
这是一个经过编译的二进制文件,ST的每一个开发板都对应着一个 flm 文件。在IAR中,flash算法烧写文件是 *.board 文件:
图二
这是个文本文件(脚本),内容是若干flash地址对应的 .flash 描述文件。以 FlashSTM32F7xx_STM32F746G-DISCO.board 为例,其中包含了3个 .flash 文件:
1)0x08000000 0x080FFFFF FlashSTM32F74xxG.flash
2)0x00200000 0x002FFFFF FlashSTM32F74xxG_TCM.flash
3)0x90000000 0x90FFFFFF FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.flash
.flash 文件也是文本文件(脚本),包括2部分内容:指明如何读写flash的二进制算法文件 .out ,以及描述flash总线初始化、芯片pin定义的 .mac 文件。以 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.flash 为例,它描述了片外flash如何烧写,其中一个文件是 FlashSTM32F7xx_QSPI_MICRON.out ,表明flash品牌是MICRON,这是个二进制文件,所有MICRON的flash都是用它来读写;另一个文件是 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F746G-DISCO.mac,是个文本文件,打开这个文件可以看到 QSPI 接口用到的6个pins :PB2、PB6、PD11、PD12、PD13、PE2。
总结一下IAR烧写flash过程:先读取 *.board 脚本文件,再读取不同地址映射的 *.flash 文件,从中获得读写flash的二进制代码 *.out 文件,同时读取 *.mac 宏定义脚本文件、对MCU内部、外部flash初始化,并获得片外flash接口的pin定义,至此,烧写片内、片外flash的信息已经齐备,之后就是具体的烧写操作了。
了解了这个过程,下面可以开始处理如何烧写 STM32F769I-DISCO 板子了。这个虽然是ST官方的板子,但 IAR V8.32 并不直接支持烧写。第一步,我们先要弄明白板子上flash的型号和pin定义,在《TouchGFX工程中hex目标文件的烧写方法(一)使用ST-LINK》中,已经知道片外flash是 MACRONIX 的 MX25L512G ,管脚定义见下图:
图三
图四 图五
QSPI接口片外flash的6个pin是:PB2、PB6、PC9、PC10、PE2、PD13。很遗憾,IAR自带的 STM32F746G-DISCO 板子的算法文件描述的是MICRON的芯片、并且QSPI管脚定义也不兼容,无法直接拿来使用。经过仔细查找,发现 FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.mac 文件中定义的6个pin跟 STM32F769I-DISCO 板子上的完全相同!就是说,把 FlashSTM32F7xx_STM32F723E-DISCO.board、FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.flash、FlashSTM32F7xx_QSPI_STM32F723E-DISCO.mac 移植过来(几乎是原样照搬^_^)就行了。
图六
修改过的文件改名为:FlashSTM32F769I-DISCO.board (所有移植后的文件下载地址见文章末尾),在IAR中加载这个 .board 后、可以烧写片外flash了。
有一个细节需要注意:IAR项目主目录下有一个自动生成的 FlashSTM32F7xxx_384kB.out 文件,如果使用这个文件,板子可以烧写、不报错,但板子reset后并不能正确运行!而使用 FlashSTM32F7xxx_192kB.out 则没有问题。没弄明白这是为什么、也不一定有代表性,这里记录一下、仅供参考。
【来源】标签:文件,简书,flash,hex,烧写,DISCO,touchgfx,board,IAR 来源: https://www.cnblogs.com/skullboyer/p/12261893.html