RAM(SRAM,DRAM,SSRAM,SDRAM,DDR)、ROM(PROM,EPROM,EEPROM)、PSRAM、FLASH(NOR FLASH,NAND FLASH)
作者：互联网
RAM
随机存储器，存储单元的内容按需随意存取，且存取速度与存储单元的位置无关。掉电易失。
SRAM
触发器构成，不需要刷新电路技能保存内部存储的数据。速度非常快，也非常昂贵。
DRAM
电容构成，隔段时间就需刷新充电，否则内部的数据即会消失。
- SRAM拥有较高的性能，但是SRAM集成度较低，相同容量下，体积远大于DRAM，且功耗大。
SSRAM（Synchronous SRAM）
同步静态随机存取存储器。同步是指memory工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；堆积是指数据不是线性存储，而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM
同步动态随机存取存储器。同步指memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
DDR
DDR RAM(Date-Date RAM)也称作DDR SDRAM。和SDRAM基本一样，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。是目前电脑中用的最多的内存，而且它有成本优势。
PSRAM
PSRAM是一种伪静态SRAM存储器，具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不想DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，接口简单。
PSRAM的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成cell，而传统SRAM需要6T即6个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类SRAM的接口有可实现较大的存储容量。
- **与DRAM相比的优势区别：**相对于DRAM，PSRAM在容量上不占优势，更多使用DRAM的用户会在读取速度上考虑用到PSRAM，因为读取速度相对更快。
- **与SRAM相比的优势区别：**对比SRAM，pSRAM市面上的产品比SRAM的容量大一倍以上，PSRAM目前最大容量达到64Mbit，并有并口与SPI接口两种模式，对需要更少I/O的设计应用更为广泛，其次，pSRAM在价格上要低于SRAM。
ROM
只读存储器，只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，一旦存储资料就无法再改变或删除。
PROM
可编程的ROM，一次性产品
EPROM
可擦除可编程ROM，紫外光照射擦除。
EEPROM
即电子可擦除只读存储器。与FLASH不同的是，可以在字节水平上进行删除和重写，而不是整个芯片擦写。所以闪存比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置资料，如在电脑的BIOS、PAD、数码相机中保存资料等。
FLASH
闪存，结合了ROM和RAM的长处。电子可擦除可编程且长寿命非易失性的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定区块为单位。
目前flash主要有两种NOR Flash和NAND Flash
NOR Flash
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样的，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NAND Flash
NAND Flash没有采用内存的随机读取技术，它的读取是以一次性读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码。
- 一般小容量使用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息；大容量使用NAND flash。
- flash闪存是非易失性储器，可以对 称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR 则要求擦除前要将目标块内所有的为写为1。
- NOR可以在片内执行
- NOR读速度比NAND快
- NAND的写入速度比NOR快
- NAND的4ms擦除速度比NOR的5s快
- 大多数写入操作需要先进行擦除操作，NOR要求在进行擦除前先要及那个目标块所有的位都写1.
- NAND的擦除单元更小，响应擦除电路更少。
- NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易存取内部每个字节。NAND使用复杂的I/O口来串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
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